語言
HYG045P03LQ1D
此器件為 P 溝道、-30V耐壓、4.4mΩ內(nèi)阻、TO-252-2L封裝產(chǎn)品，芯片采用Trench工藝設(shè)計(jì)。該器件抗沖擊能力強(qiáng)，適合較低開關(guān)頻率應(yīng)用，可滿足負(fù)載開關(guān)、電池保護(hù)板等應(yīng)用領(lǐng)域。
特性
低內(nèi)阻
符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)
100% DVDS測(cè)試
100% UIL測(cè)試
領(lǐng)先的封裝工藝
優(yōu)勢(shì)
通態(tài)損耗小
抗沖擊能力強(qiáng)
高可靠性
穩(wěn)定的工藝能力
應(yīng)用
負(fù)載開關(guān)，DC-DC，電池保護(hù)板
